Новое поколение литографического оборудования ASML постепенно выходит за пределы экспериментальных лабораторий. Четыре клиента нидерландской компании уже эксплуатируют в общей сложности десять систем High-NA EUV, предназначенных для производства наиболее сложных микросхем следующих поколений. Ещё три установки находятся на стадии доставки и монтажа. Стоимость одного такого комплекса может достигать примерно $400 млн.

Одним из первых практическое применение High-NA EUV нашла Intel, задействовавшая технологию на отдельных этапах производства процессоров Panther Lake. Интерес к новому оборудованию проявляют также Samsung и SK hynix, рассматривающие его для выпуска памяти. Крупнейший контрактный производитель полупроводников TSMC действует осторожнее: компания уже приобрела несколько High-NA EUV-систем, однако пока намерена использовать их преимущественно для исследований и отработки будущих технологических процессов.

У четырёх клиентов ASML работают десять High-NA EUV-систем

О текущих масштабах внедрения технологии рассказала старший вице-президент ASML Грит Стормс, отвечающая за направление литографических систем. Информация прозвучала на конференции Semicon Taiwan 2026.

По её словам, десять High-NA EUV-установок уже находятся в эксплуатации у четырёх заказчиков ASML. Дополнительно три системы сейчас поставляются клиентам либо проходят процедуру монтажа.

Для чрезвычайно дорогого и технологически сложного оборудования это важный рубеж. High-NA EUV постепенно переходит от стадии исследований и тестирования к реальному применению на предприятиях полупроводниковой промышленности.

Главное отличие таких машин от предыдущего поколения EUV заключается в увеличенной числовой апертуре оптической системы. У High-NA она достигает 0,55 против 0,33 у традиционных EUV-сканеров. Это позволяет формировать более мелкие элементы микросхем и уменьшать необходимость в дополнительных этапах экспонирования.

Intel одной из первых начала применять технологию на производстве

Наиболее активно среди крупных производителей полупроводников High-NA EUV осваивает Intel.

Американская компания уже задействовала новое оборудование для части технологических операций при производстве процессоров семейства Panther Lake по техпроцессу Intel 18A.

При этом переход на High-NA не означает, что весь кристалл обязательно создаётся исключительно с помощью новых машин. Современный производственный процесс включает множество слоёв и операций, для которых могут использоваться различные поколения литографического оборудования.

Экономически оправданным High-NA становится прежде всего на наиболее сложных слоях, где повышенное разрешение позволяет отказаться от части дополнительных операций и упростить формирование требуемого рисунка.

Samsung и SK hynix рассматривают High-NA для производства памяти

Новые литографические системы интересуют не только производителей процессоров. Южнокорейские Samsung и SK hynix изучают возможность применения High-NA EUV при выпуске микросхем памяти.

Обе компании располагают как минимум одной системой ASML TwinScan EXE:5200B.

По оценкам отрасли, возможности оборудования могут быть востребованы на протяжении нескольких следующих поколений производства DRAM. Для изготовителей памяти особенно важна потенциальная возможность уменьшить количество технологических операций.

Более высокое разрешение High-NA позволяет формировать некоторые элементы за меньшее число экспозиций. В результате производственная цепочка может стать короче, а количество необходимой оснастки — уменьшиться.

При огромных объёмах выпуска современной памяти даже относительно небольшое сокращение продолжительности производственного цикла способно иметь существенное экономическое значение.

High-NA EUV уже обработала около 1,35 млн пластин

ASML приводит и данные, демонстрирующие, насколько далеко продвинулось практическое освоение новой технологии.

По словам Грит Стормс, оборудование этого поколения уже участвовало в обработке примерно 1,35 млн кремниевых пластин.

Одной из наиболее важных характеристик литографической системы является её пропускная способность. Для массового производства недостаточно просто обеспечить необходимую точность: оборудование должно обрабатывать огромное количество пластин за приемлемое время.

TwinScan EXE:5200B способна работать с производительностью до 135 пластин в час. ASML считает такой показатель уже достаточным для использования системы в серийном производстве.

Производительность планируют довести до 210 пластин в час

Нынешние показатели не являются пределом возможностей High-NA EUV. В течение следующих нескольких лет ASML собирается существенно увеличить производительность своих литографических систем.

К концу десятилетия будущие поколения оборудования должны выйти сначала примерно на 180, а затем потенциально и на 210 кремниевых пластин в час.

Добиться такого результата только модернизацией существующих установок не получится. Для дальнейшего увеличения пропускной способности ASML намерена выпускать более совершенные поколения High-NA EUV-сканеров.

Рост производительности особенно важен с учётом стоимости оборудования. Чем больше пластин способна обработать установка за определённый промежуток времени, тем проще производителю полупроводников оправдать многомиллионные инвестиции в новую технологию.

Один High-NA EUV-сканер стоит около $400 млн

Главным препятствием для быстрого распространения High-NA остаётся цена. Стоимость отдельной системы может составлять около $400 млн, причём покупкой самого оборудования расходы производителя не ограничиваются.

Для внедрения новой литографии необходимо подготовить производственную инфраструктуру, технологические процессы, фотошаблоны, программное обеспечение и множество сопутствующих компонентов.

Поэтому полномасштабный переход крупного производителя на High-NA EUV способен потребовать инвестиций в миллиарды долларов.

В результате компании тщательно выбирают операции, на которых применение новых сканеров действительно способно дать экономический или технологический выигрыш.

TSMC пока не торопится переносить High-NA на массовое производство

Особенно осторожную позицию занимает TSMC — крупнейший в мире контрактный производитель полупроводников.

В 2026 году тайваньская компания всё же приобрела несколько High-NA EUV-систем ASML, но это пока не означает скорого внедрения технологии на основных производственных линиях.

На первоначальном этапе TSMC намерена использовать оборудование для исследований, экспериментов и подготовки будущих технологических процессов.

Такая осторожность во многом объясняется масштабами производства компании. TSMC выпускает огромные объёмы микросхем для множества заказчиков, поэтому массовое внедрение установок стоимостью около $400 млн каждая потребовало бы чрезвычайно крупных капиталовложений.

Кроме того, существующая EUV-литография продолжает развиваться и позволяет производителям некоторое время уменьшать нормы производства без немедленного перехода на High-NA.

High-NA станет одним из инструментов для техпроцессов следующих поколений

High-NA EUV рассматривается полупроводниковой отраслью как один из ключевых инструментов дальнейшего уменьшения элементов микросхем. Особенно востребованной технология должна стать при освоении производственных норм следующих поколений, условно относимых к классу менее 2 нм.

При этом современные обозначения вроде 2 нм, 1,8 нм или 1,4 нм уже давно не следует воспринимать как буквальный физический размер транзистора. Они используются производителями прежде всего для обозначения поколения технологического процесса.

Преимущество High-NA заключается не только в возможности создавать более сложные и плотные структуры. Более высокое разрешение потенциально позволяет сократить количество операций многократного экспонирования, которые необходимы при использовании менее совершенной литографии.

Именно баланс между стоимостью оборудования, производительностью и уменьшением числа технологических этапов в конечном итоге определит скорость распространения High-NA.

Первые признаки перехода уже заметны: десять систем работают у клиентов ASML, ещё три готовятся к эксплуатации, Intel начала практическое применение технологии, а крупнейшие производители памяти проводят собственную подготовку. TSMC пока предпочитает наблюдать и экспериментировать, но по мере дальнейшего уменьшения технологических норм High-NA EUV будет становиться всё сложнее игнорировать.