Европейская комиссия согласовала государственную поддержку в размере €319 млн для масштабного технологического проекта Infineon Technologies в Австрии. Компания планирует создать в городе Филлах первое в мире предприятие, способное серийно выпускать силовые чипы на основе нитрида галлия (GaN) с использованием кремниевых пластин диаметром 300 мм. Общая стоимость модернизации производства оценивается в €1,1 млрд.

Новая технология позволит существенно увеличить количество полупроводниковых компонентов, получаемых с одной пластины, и снизить затраты на их изготовление. Первые коммерческие поставки запланированы на конец 2027 года, а полная инвестиционная программа продлится до 2034 года. Проект станет важной частью европейской стратегии развития микроэлектроники и укрепления технологической независимости региона.

Переход на 300-мм пластины изменит экономику производства

Модернизация предприятия Infineon в австрийской федеральной земле Каринтия проводится в рамках программы Empowering Fab. Её ключевая задача — масштабировать производство силовых GaN-полупроводников, которые сегодня преимущественно выпускаются на пластинах диаметром 200 мм.

Технологическую основу для перехода компания подготовила ещё в 2024 году, когда продемонстрировала возможность изготовления таких компонентов на 300-мм пластинах.

Увеличение диаметра производственной подложки на 50 % обеспечивает значительно больший прирост полезной площади. По расчётам Infineon, одна 300-мм пластина позволяет получить приблизительно в 2,3 раза больше чипов по сравнению с 200-мм вариантом.

Это открывает возможности для сокращения производственных расходов, повышения загрузки оборудования и постепенного удешевления готовой силовой электроники.

Почему нитрид галлия становится всё более востребованным

GaN относится к широкозонным полупроводниковым материалам и обладает характеристиками, которые делают его особенно перспективным для современных систем электропитания.

По сравнению с традиционными кремниевыми решениями силовые компоненты на основе нитрида галлия способны обеспечивать более высокую частоту переключения и уменьшать энергетические потери при преобразовании электричества.

На практике это позволяет разрабатывать компактные и эффективные источники питания, уменьшать тепловыделение и снижать потребность в массивных системах охлаждения.

Технология представляет интерес сразу для нескольких отраслей: электромобильной промышленности, робототехники, промышленной автоматизации, возобновляемой энергетики и производства зарядного оборудования.

Искусственный интеллект ускоряет развитие рынка GaN

Одним из наиболее перспективных направлений Infineon называет инфраструктуру искусственного интеллекта.

Современные центры обработки данных оснащаются всё более мощными вычислительными ускорителями, из-за чего растут требования к энергоснабжению серверных стоек. Даже небольшое повышение эффективности преобразования электричества при таких масштабах способно заметно сократить энергопотребление и расходы на охлаждение.

GaN-компоненты могут стать важным элементом высокоэффективных серверных блоков питания и других систем распределения энергии.

Глава Infineon Йохен Ханебек рассчитывает, что освоение массового производства на пластинах увеличенного диаметра поможет расширить применение технологии и сделать её доступнее.

Перспективы рынка подтверждают прогнозы аналитической компании Yole Group. Согласно приведённым Infineon оценкам, к 2031 году мировой рынок силовых GaN-полупроводников может вырасти до $3,5 млрд. Ожидаемый среднегодовой прирост в период с 2025 по 2031 год составляет около 35 %.

Европейское финансирование предусматривает дополнительные обязательства

Государственная поддержка предоставляется в рамках European Chips Act — европейской программы развития собственной полупроводниковой промышленности.

Помимо расширения производства, Infineon должна обеспечить сотрудничество с исследовательскими организациями, университетами, стартапами и небольшими технологическими предприятиями.

Партнёрам планируется предоставлять доступ к специализированным лабораториям, оборудованию и программным инструментам. Такой подход должен способствовать развитию новых технологий и укреплению европейской исследовательской экосистемы.

Соглашение также предусматривает механизм участия австрийского государства в дополнительной прибыли, если финансовые результаты проекта превысят согласованные прогнозы.

Европа стремится сократить зависимость от зарубежных производителей

При согласовании субсидии Еврокомиссия отдельно оценивала экономическую обоснованность проекта и возможное влияние государственной помощи на конкуренцию.

Регулятор пришёл к выводу, что без финансовой поддержки столь масштабные инвестиции в европейское производство не состоялись бы.

Запуск предприятия в Филлахе должен укрепить позиции Евросоюза в сегменте перспективных силовых полупроводников и уменьшить зависимость от внешних цепочек поставок.

Для Infineon проект станет возможностью закрепить технологическое преимущество в производстве GaN-компонентов, а для европейской промышленности — важным шагом к созданию более устойчивой и конкурентоспособной микроэлектронной отрасли.